博鱼体育智能锁延时电路pdf本发明涉及智能锁技术领域，尤其涉及智能锁延时电路，本发明包括在正极端设有key实体开关和在负极的复位开关，电路采用3.3V电压，在正极连接有电阻R12，电阻R12并联有电容C83、电容C82和电阻R23,所述电阻R12的连接有电阻R24,所述电阻R24连接有NMOS管Q2，所述NMOS管Q2连接有相互并联的电阻R29和电阻R31，所述电阻R31连接有NMOS管Q3,所述NMOS管Q3的输出端连接有相互并联的电阻R34和NMOS管Q5，相互并联的电阻R34和NMOS管Q5的输出端连接有电容C84和

　　(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113114192 B (45)授权公告日 2023.04.14 (21)申请号 9.9 (56)对比文件 (22)申请日 2021.04.14 CN 201131075 Y,2008.10.08 审查员 易玉斌 (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 113114192 A (43)申请公布日 2021.07.13 (73)专利权人 深圳市芯联信息技术有限公司 地址 518000 广东省深圳市南山区粤海街 道科技园社区科苑路11号金融科技大 厦19楼 (72)发明人 黄斌邹春友 (74)专利代理机构 重庆百润洪知识产权代理有 限公司 50219 专利代理师 沈锋 (51)Int.Cl. H03K 17/28 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 智能锁延时电路 (57)摘要 本发明涉及智能锁技术领域，尤其涉及智能 锁延时电路，本发明包括在正极端设有key实体 开关和在负极的复位开关，电路采用3.3V输入电 压，电阻R12一端接3.3V电压，另一端与电容C83 串联，电容C83、电容C82和电阻R23一端为并联， 另一端接地，电阻R24一端与电阻R12串联,另一 端连接NMOS管Q2的栅极，NMOS管Q2漏极连接电阻 R29的一端，NMOS管Q2源极接地，电阻R29另一端 接3.3V电压，所述电阻R31一端与电阻R29串联， 另一端接NMOS管Q3的栅极，NMOS管Q3漏极接电阻 R34的一端和PMOS管Q5的栅极，NMOS管Q3源极接 地，电阻R34另一端接3.3V电压和PMOS管Q5的源 B 极，PMOS管Q5的漏极串联电容C85、电阻R41再接 2 到NMOS管Q8的栅极。本发明成本低，安全稳定，可 9 1 4 在软件功能异常时通过本发明的电路进行智能 1 1 3 锁系统复位。 1 1 N C CN 113114192 B 权利要求书 1/1页 1.智能锁延时电路，其特征在于：包括在正极端设有key实体开关和在负极的复位开 关，电路采用3.3V输入电压，电阻R12一端接3.3V电压，另一端与电容C83串联，电容C83、电 容C82和电阻R23一端为并联，另一端接地，电阻R24一端与电阻R12串联,另一端连接NMOS管 Q2的栅极，所述NMOS管Q2漏极连接电阻R29的一端，NMOS管Q2源极接地，电阻R29另一端接 3.3V电压，电阻R31一端与电阻R29串联，另一端接NMOS管Q3的栅极，所述NMOS管Q3漏极接电 阻R34的一端和PMOS管Q5的栅极，NMOS管Q3源极接地博鱼体育app官网入口，电阻R34另一端接3.3V电压和PMOS管 Q5的源极博鱼官网，PMOS管Q5的漏极串联电容C85、电阻R41再接到NMOS管Q8的栅极，所述电容C85一 端与电阻R37并联，另一端与电阻R40并联，电阻R37和电阻R40另一端接地，电容C84一端接 3.3V电压，另一端接PMOS管Q5的漏极，电阻R51一端接3.3V电压，另一端接LED灯正极，LED灯 负极接到LED1灯负极和NMOS管Q8的漏极，所述NMOS管Q8的源极接地，LED1灯正极接到复位 管脚。 2.根据权利要求1所述的智能锁延时电路，其特征在于，所述电容C83和电容C82均为 22uf，所述电容C84和电容C85均为1uf，所述电阻R24、R31和R41均为4.7K。 3.根据权利要求1所述的智能锁延时电路，其特征在于，具体实现延时步骤如下： S1:首先通过KEY键3.3V上电，出现发光二极管闪一下，是上电复位现象； S2:通过R12电阻给C82和C83电容充电，电压从0V往上升到0.7V，充电时间需要30秒，让 NMOS管Q2从关闭状态变成打开状态； S3：电阻R29将PMOS管Q5的源极3.3V电压降到2.4V，NMOS管Q2的漏极处电压由2.4V开始 下降，直至降到0V；让Q3的NMOS管从打开状态变成关闭状态； S4：在NMOS管Q3的漏极处，Q3的NMOS管一直处于打开状态，NMOS管Q3的漏极处电压为 0V，经过充电，Q3的NMOS管关闭，NMOS管Q3的漏极处立刻从0V升到2.4V电压,此时Q5的PMOS 管从打开状态变成关闭状态； S5:在PMOS管Q5的漏极处，Q5的PMOS管一直处于打开状态，PMOS管Q5的漏极处的电压为 3.3V博鱼体育app官网入口，经过充电，Q5的PMOS管关闭博鱼体育，PMOS管Q5的漏极处立刻从3.3V降到0V电压；电容C85将 PMOS管Q5的漏极处的3.3V与电阻R41的0V隔开，Q8的NMOS管一直处于关闭状态； S6:在NMOS管Q8的栅极处，电压一直为0V，Q8的NMOS管一直都是关闭状态，当KEY按下， NMOS管Q8的栅极处变为高电平，Q8的NMOS管打开； S7:在NMOS管Q8的漏极处，输入电压的3.3V串联电阻R51，再接到LED发光二极管的正 极，NMOS管Q8的漏极处的电压一直保持为1.2V；当KEY按键按下，Q8的NMOS管打开，NMOS管Q8 的漏极处迅速从1.2V变成0V，此时发光二极管被点亮； S8:宕机时，通过重启按键按压一次后，起到重新恢复整个电路系统的作用，30秒冷却 间隔时间博鱼体育。 4.根据权利要求3所述的智能锁延时电路，其特征在于，在步骤S8中，通过智能终端进 行设置多个时间间隔的延时范围。 2 2 CN 113114192 B 说明书 1/3页 智能锁延时电路 技术领域 [0001] 本发明涉及智能锁技术领域，尤其涉及智能锁延时电路。 背景技术 [0002] 智能门锁是指区别于传统机械锁的基础上改进的，在用户安全性、识别、管理性方 面更加智能化简便化的锁具。智能门锁是门禁系统中锁门的执行部件。智能门锁区别于传 统机械锁,是具有安全性,便利性,先进技术的复合型锁具。磁卡、射频卡(非接触类博鱼体育app官网入口，安全性 较高，塑料材质博鱼体育，配置携带较方便，价格低廉)使用非机械钥匙作为用户识别ID的成熟技术， 如：指纹锁博鱼体育app官网入口、虹膜识别门禁(生物识别类，安全性高，不存在丢失损坏；但不方便配置，成本 高)TM卡(接触类，安全性很高，不锈钢材质，配置携带极为方便，价格较低)在以下场所应用 较多：银行，政府部门(注重安全性)，以及酒店，学校宿舍，居民小区，别墅，宾馆 [0003] 一般智能锁不可避免的会出现由软件系统导致的系统出现异常或者宕机的死机 现象，一般这种现象通过软件自身无法进行复位，并且传统的智能锁的电路较为复杂，器件 较多，延时时间长短精度不高。 发明内容 [0004] 有鉴于此，本发明的目的是提供智能锁延时电路，以解决背景技术中的问题。 [0005] 本发明的智能锁延时电路具体包括在正极端设有key实体开关和在负极的复位开 关，电路采用3.3V输入电压，电阻R12一端接3.3V电压，另一端与电容C83串联，电容C83、电 容C82和电阻R23一端为并联，另一端接地，所述电阻R24一端与电阻R12串联,另一端连接 NMOS管Q2的栅极，所述NMOS管Q2漏极连接电阻R29的一端，NMOS管Q2源极接地，电阻R29另一 端接3.3V电压，所述电阻R31一端与电阻R29串联博鱼体育，另一端接NMOS管Q3的栅极，所述NMOS管Q3 漏极接电阻R34的一端和PMOS管Q5的栅极，NMOS管Q3源极接地，电阻R34另一端接3.3V电压 和PMOS管Q5的源极，PMOS管Q5的漏极串联电容C85、电阻R41再接到NMOS管Q8的栅极，所述电 容C85一端与电阻R37并联，另一端与电阻R40并联，电阻R37和电阻R40另一端接地，所述电 阻C84一端接3.3V电压博鱼体育app官网入口，另一端接PMOS管Q5的漏极，所述电阻R51一端接3.3V电压，另一端接 LED灯正极，LED灯负极接到LED1灯负极和NMOS管Q8的漏极，所述NMOS管Q8的源极接地，LED1 灯正极接到复位管脚。 [0006] 进一步，所述电容C83和电容C82均为22uf，所述电容C84和电容C85均为1uf，所述 电阻R24、R31和R41均为4.7K。 [0007] 进一步，具体实现延时步骤如下： [0008] S1:首先通过KEY键3.3V上电博鱼官网，出现发光二极管闪一下，是上电复位现象； [0009] S2:通过R12电阻给C82和C83电容充电，电压从0V往上升到0.7V，充电时间需要30 秒，让NMOS管Q2从关闭状态变成打开状态； [0010] S3：电阻R29将PMOS管Q5的源极3.3V电压降到2.4V，NMOS管Q2的漏极处电压由2.4V 开始下降，直至降到0V；让Q3的NMOS管从打开状态变成关闭状态； 3 3 CN 113114192 B 说明书 2/3页 [0011] S4：在NMOS管Q3的漏极处，Q3的NMOS管一直处于打开状态，NMOS管Q3的漏极处电压 为0V，经过充电，Q3的NMOS管关闭，NMOS管Q3的漏极处立刻从0V升到2.4V电压,此时Q5的 PMOS管从打开状态变成关闭状态； [0012] S5:在PMOS管Q5的漏极处，Q5的PMOS管一直处于打开状态，PMOS管Q5的漏极处的电 压为3.3V，经过充电，Q5的PMOS管关闭，PMOS管Q5的漏极处立刻从3.3V降到0V电压；电容C85 将PMOS管Q5的漏极处的3.3V与电阻R41的0V隔开，Q8的NMOS管一直处于关闭状态； [0013] S6:在NMOS管Q8的栅极处，电压一直为0V，Q8的NMOS管一直都是关闭状态，当KEY按 下，NMOS管Q8的栅极处变为高电平，Q8的NMOS管打开； [0014] S7:在NMOS管Q8的漏极处，输入电压的3.3V串联电阻R51，再接到LED发光二极管的 正极，NMOS管Q8的漏极处的电压一直保持为1.2V；当KEY按键按下，Q8的NMOS管打开，NMOS管 Q8的漏极处迅速从1.2V变成0V，此时发光二极管被点亮； [0015] S8:宕机时，通过重启按键按压一次后，起到重新恢复整个电路系统的作用， [0016] 30秒冷却间隔时间。 [0017] 进一步，在步骤S8中通过智能终端进行设置多个时间间隔的延时范围。 [0018] 本发明的智能锁延时电路的有益效果：本发明： [0019] 1、可设计不同时间延时复位，如30S、60S、120S等等，应用到不同场景中。 [0020] 2、硬件成本方面：只需要电容、电阻、三极管来搭建电路，市面常用物料；纯硬件电 路设计，成本低。 [0021] 3、安全方案方面：所有器件都在主板，无需考虑软件，保证元器件性能即可。 [0022] 4、拓展功能方面：系统宕机，无法用软件复位，通过此电路可以解决让系统重新复 位。 附图说明 [0023] 图1是本发明电路结构图； 具体实施方式 [0024] 以下将结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明，显然，所描述的实施例仅 仅只是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本申请中的实施例，本领域普通技 术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范 围。 [0025] 本实施例中,本发明的智能锁延时电路如图1，包括在正极端设有key实体开关和 在负极的复位开关，电路采用3.3V输入电压，电阻R12一端接3.3V电压，另一端与电容C83串 联，电容C83、电容C82和电阻R23一端为并联，另一端接地，所述电阻R24一端与电阻R12串 联,另一端连接NMOS管Q2的栅极，所述NMOS管Q2漏极连接电阻R29的一端，NMOS管Q2源极接 地，电阻R29另一端接3.3V电压，所述电阻R31一端与电阻R29串联，另一端接NMOS管Q3的栅 极，所述NMOS管Q3漏极接电阻R34的一端和PMOS管Q5的栅极，NMOS管Q3源极接地，电阻R34另 一端接3.3V电压和PMOS管Q5的源极，PMOS管Q5的漏极串联电容C85、电阻R41再接到NMOS管 Q8的栅极，所述电容C85一端与电阻R37并联，另一端与电阻R40并联，电阻R37和电阻R40另 一端接地，所述电阻C84一端接3.3V电压，另一端接PMOS管Q5的漏极，所述电阻R51一端接 4 4 CN 113114192 B 说明书 3/3页 3.3V电压，另一端接LED灯正极，LED灯负极接到LED1灯负极和NMOS管Q8的漏极，所述NMOS管 Q8的源极接地，LED1灯正极接到复位管脚。 [0026] 本实施例中，所述电容C83和电容C82均为22uf，所述电容C84和电容C85均为1uf， 所述电阻R24、R31和R41均为4.7K。 [0027] 本实施例中，具体实现延时步骤如下： [0028] S1:首先通过KEY键3.3V上电，出现发光二极管闪一下，是上电复位现象； [0029] S2:通过R12电阻给C82和C83电容充电，电压从0V往上升到0.7V，充电时间需要30 秒，让NMOS管Q2从关闭状态变成打开状态； [0030] S3：电阻R29将PMOS管Q5的源极3.3V电压降到2.4V，NMOS管Q2的漏极处电压由2.4V 开始下降，直至降到0V；让Q3的NMOS管从打开状态变成关闭状态； [0031] S4：在NMOS管Q3的漏极处，Q3的NMOS管一直处于打开状态，NMOS管Q3的漏极处电压 为0V，经过充电，Q3的NMOS管关闭博鱼官网，NMOS管Q3的漏极处立刻从0V升到2.4V电压,此时Q5的 PMOS管从打开状态变成关闭状态； [0032] S5:在PMOS管Q5的漏极处，Q5的PMOS管一直处于打开状态，PMOS管Q5的漏极处的电 压为3.3V，经过充电，Q5的PMOS管关闭，PMOS管Q5的漏极处立刻从3.3V降到0V电压；电容C85 将PMOS管Q5的漏极处的3.3V与电阻R41的0V隔开，Q8的NMOS管一直处于关闭状态； [0033] S6:在NMOS管Q8的栅极处，电压一直为0V，Q8的NMOS管一直都是关闭状态，当KEY按 下，NMOS管Q8的栅极处变为高电平，Q8的NMOS管打开； [0034] S7:在NMOS管Q8的漏极处，输入电压的3.3V串联电阻R51，再接到LED发光二极管的 正极，NMOS管Q8的漏极处的电压一直保持为1.2V；当KEY按键按下，Q8的NMOS管打开，NMOS管 Q8的漏极处迅速从1.2V变成0V，此时发光二极管被点亮； [0035] S8:宕机时，通过重启按键按压一次后博鱼体育，起到重新恢复整个电路系统的作用，30秒 冷却间隔时间。 [0036] 本实施例中，在步骤S8中通过智能终端进行设置多个时间间隔的延时范围。 [0037] 以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发 明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改 或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求 范围当中。本发明未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。 5 5 CN 113114192 B 说明书附图 1/1页 图1 6 6

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